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National Semiconductor Corporation
Industry: Semiconductors
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Company Profile:
National Semiconductor Corporation designs, develops, manufactures, and markets analog and mixed-signal integrated circuits and sub-systems.
由於極端力量接觸,通常出現人員短時間內,高電流脈衝半導體金屬化熔化。
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很多的晶圓片金屬化在同一時間。由於晶片容納由蒸發 (即金屬化) 分庭的數目是經常小於晶片擴散分庭容納的人數,這是可能有幾個金屬化運行來自同一晶圓片運行的。
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內金屬或其他材料的半導體器件,通常不探測使用光學放大倍率非常小裂縫。在金屬化方面,微裂紋最通常發生在接觸的步驟。微裂紋可能導致電路中不連續性。
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一種長度單位。106µ = 1 m (米)。[注: µ 作為象徵的長度不應與 µ 作為首碼用於指示微單位,如 μ A (微安) 或 µ V microvolts) 混為一談。A 微米是一個千分尺]。
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搬遷或物理材料運入或跨其他連續的材料。(見電遷移)。
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Nonpredominant 手機充電載體 (如電子在 P 區,那裡多數承運人將孔) 半導體中。
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凡事服從的示例設備到一個週期的高的濕度和溫度應力,以確定這些設備在惡劣環境條件下的生存能力。這通常與 10 週期的持續時間 24 小時的樣本基礎上進行。
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一種完全封裝在環氧樹脂或備用成型複合,就沒有內部腔的裝置。
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其電路完成包含設備單一模具或晶片上。
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MSI 設備是一般被認為是那些包含 12 個或更多的門等效項,但小於 100。(See LSI.)
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