- Industry: Semiconductors
- Number of terms: 2987
- Number of blossaries: 0
- Company Profile:
National Semiconductor Corporation designs, develops, manufactures, and markets analog and mixed-signal integrated circuits and sub-systems.
Метод за получаване на тънки слоеве чрез избиване на молекули от твърдотелен източник чрез йонна бомбардировка с цел отлагането им върху близка повърхност.
Industry:Semiconductors
Единица за дължина. 10^4Å = 1 микрон или 10^10Å = 1 м (метър).
Industry:Semiconductors
Устройства или процеси, при които токопроводящите области и подложките са с еднаква полярност, обикновено МОП устройства.
Industry:Semiconductors
Процес, при който полупроводникови елементи са произведени на повърхността на силициеви подложки.
Industry:Semiconductors
Област в повърхностната проводимост, противоположна по тип на очакваната такава от легирането на материала. Понякога каналите са внесени неволно чрез повърхностно йонно замърсяване. Видът на канала (p или n) се определя от типа основни носители, вкарани в канала.
Industry:Semiconductors
Електрическо изследване, проведено с цел определяне типичните характеристики на устройството и/или параметричните граници.
Industry:Semiconductors
Носител на електричен заряд в кристала на твърдотелно устройство, като електрон или дупка.
Industry:Semiconductors
Метал-Окис Полупроводникова технология, в която двата типа устройства (с p- и n- канал) са фабрикувани на един и същ полупроводников кристал.
Industry:Semiconductors
Мярка (в /°C или части от милион /°C) за това доколко даден материал ще се разшири или свие в резултат на промяна в температурата. Когато два материала с различен коефициент на температурно разширение са обединени, разширението или свиването ще увеличи напрежението на граничната връзка между тях. Продължителното напрягане на тази връзка може да доведе до разделяне.
Industry:Semiconductors
Област в полупроводник, където по същество всички заредени носители са изтласкани от съществуващото електрично поле.
Industry:Semiconductors
