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National Semiconductor Corporation
Industry: Semiconductors
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Company Profile:
National Semiconductor Corporation designs, develops, manufactures, and markets analog and mixed-signal integrated circuits and sub-systems.
マルチレベルの導電性と抵抗の材料を分離するために、またはトップ レベル導電抵抗材料を保護するために使用される誘電体層 (グラシベーションを参照してくださいパッシベーション)。
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半導体または半導体ダイ完成したデバイス回路を形成する一緒に動作する複数の要素 (ダイ上またはハイブリッド ・ サブストレート上に配置される)。
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ダイ; の表面に 2 つ以上のアクティブな要素を接続する配線また、金型、パッケージを接続するワイヤをリードします。
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目視検査その金型、ワイヤーおよびパッケージを確実にシールする前に、デバイスのすべての該当する仕様に準拠します。
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通常 100 ℃ で ppm に記載されているデバイスの封止後、半導体パッケージ ・ キャビティ内に閉じ込められた残留水分量
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選択中の不純物半導体の導入目的の電子特性を達成するために (高電圧イオンボンバード) を介して地域を制御します。
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分離拡散 (通常 P +) 隣接回路間の電気の漏洩を防ぐために囲まれて死ぬの領域。
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特定のデバイス製造され制御された政府仕様に従って上映を示すために使用される商標の識別文字です。ジャン ・ マークは J より小さいデバイスで使用するときに頻繁に省略されます。
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P 型領域とシリコン基板の N 地域間の境界。
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抵抗から材料を除去またはトリミングによって修正回路の抵抗領域の部分。
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