- Industry: Semiconductors
- Number of terms: 2987
- Number of blossaries: 0
- Company Profile:
National Semiconductor Corporation designs, develops, manufactures, and markets analog and mixed-signal integrated circuits and sub-systems.
Легирующая примесь, превращающая полупроводник в n-тип, предоставляя электрон в зону проводимости. Электроны являются носителями отрицательного заряда.
Industry:Semiconductors
Прямозонный полупроводниковый материал с высокой подвижностью электронов. Используется в высокоскоростных приборах и в оптоэлектронике. Интегральные схемы на основе арсенида галлия требуют более сложных производственных технологий по сравнению с кремниевыми.
Industry:Semiconductors
Тонкая пленка оксида кремния изолирующая затвор от канала. Используется в МОП структурах.
Industry:Semiconductors
Фоточувствительный материал, полимеризующийся под действием ультрафиолетового излучения и используемый в качестве маски для химического травления.
Industry:Semiconductors
Биполярный транзистор, образованный коллектором p-типа, базой n-типа и эмиттером p-типа. Эмиттер обычно смещен положительно относительно базы, коллектор - отрицательно.
Industry:Semiconductors
Полупроводниковый материал, в котором основным носителем заряда являются дырки.
Industry:Semiconductors
Энергетический барьер между металлом и полупроводником, используется в диодах Шоттки.
Industry:Semiconductors
Управляющая часть транзистора, изготавливаемая из кремния (обычно поликристаллического, иногда аморфного).
Industry:Semiconductors
Легирующая примесь, которая забирает валентный электрон из полупроводника, оставляя дырку. Дырки выступают в роли носителей положительного заряда.
Industry:Semiconductors
Материал, на котором изготавливается интегральная схема (ИС). Для монолитных приборов подложкой является кремний (или другой полупроводник), для гибридных - оксид алюминия или керамика, на которые наносится ИС или отдельные элементы.
Industry:Semiconductors
